[发明专利]硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法无效
| 申请号： | 200710199102.0 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101459059A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 林楠 | 申请（专利权）人： | 林楠 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016江苏省南京市白*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法，其特征在于，在减薄硅大直径圆晶片衬底背面前，采用划刀法、光刻刻蚀法分离硅衬底上管芯之间的钝化玻璃膜层；或采用丝网掩膜隔离法在玻璃钝化中分离硅衬底上管芯之间的钝化玻璃膜层。在芯片间的小范围内就有效地释放或消除在玻璃钝化工艺中由于钝化玻璃-硅热膨胀系数的差异所引入的玻璃-硅内应力，这样可有效地防止硅大直径圆晶片衬底背面减薄时所引起的硅片翘曲、龟裂或破碎。本技术方法能保证玻璃钝化硅半导体器件电参数最优化设计和可靠性最优化设计的实现，特别适合于大直径硅圆晶片玻璃钝化半导体器件的规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 直径 晶片 半导体器件 玻璃 钝化 技术 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化工艺方法，其特征在于：在减薄硅大直径圆晶片衬底背面前，先分离芯片间玻璃钝化膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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