[发明专利]电子冷却装置、图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710199375.5 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101207175A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 韩昌勋 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/32;H01L25/16;H01L27/146;H01L23/38 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子冷却装置、图像传感器及其制造方法。该方法包括步骤：在半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层上形成第一硅化物层和第二硅化物层，在第一硅化物层和第二硅化物层上均形成分离的成对p型半导体和n型半导体，在p型半导体和n型半导体上形成第一层间介电(ILD)层，暴露n型半导体和p型半导体的上表面，在第一硅化物层和第二硅化物层各自的一个半导体上形成第三硅化物层，在第三硅化物层上形成第二ILD层，及蚀刻第二ILD层和第一ILD层以形成接触孔，接触孔暴露第一硅化物层和第二硅化物层的上表面。本发明能够驱散或降低集成电路内产生的热，使图像传感器在高温下、在使用的延长期内更有效地和/或热致噪声更低地运行。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 冷却 装置 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造装置的方法，包括步骤：在第一硅化物层和第二硅化物层上均形成p型半导体本体和n型半导体本体，使得所述p型半导体本体和n型半导体本体相互分离；在所述p型半导体本体和n型半导体本体上形成第一介电层，并暴露所述n型半导体本体和p型半导体本体的上表面；在所述第一硅化物层上的n型半导体本体上和所述第二硅化物层上的p型半导体本体上形成第三硅化物层；在所述第三硅化物层上形成第二介电层；以及蚀刻所述第二介电层和第一介电层以形成接触孔，所述接触孔暴露所述第一硅化物层和第二硅化物层的上表面。
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