[发明专利]无须采用额外掩模以相同工艺制造存储与逻辑元件的方法有效
| 申请号： | 200710199607.7 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101226882A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈冠复;陈映仁;韩宗廷;陈铭祥;李士勤 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/792;H01L29/51;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造逻辑和非易失存储器件的方法，可通过一些额外步骤，利用公知CMOS工艺制造逻辑与存储器件。然而，这些额外步骤无须增加掩模。由此，该工艺可以在同样的衬底上，降低制造逻辑与存储器件的复杂度、时间、以及成本，对于嵌入应用尤其显著。 | ||
| 搜索关键词： | 无须 采用 额外 相同 工艺 制造 存储 逻辑 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造逻辑和非易失存储器件的方法，包含：形成氧化层于衬底上；形成氮化层于所述衬底上；施加高热处理，其至少足以造成某些氮原子由所述氮化层移动至所述衬底中；移除所述氮化层与所述氧化层；以及生长栅极氧化层于所述衬底之上，其中生长所述栅极氧化层造成所述衬底中捕获的这些氮原子移动至所述栅极氧化层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
