[发明专利]硅化钴膜形成方法和具有硅化钴膜半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开硅化钴膜的形成方法和具有硅化钴膜的半导体装置的制造方法。在含硅导电区上有一含钴膜，并且一富含钛的覆盖层形成在含钴膜上。其中所述覆盖层是钛/氮原子百分比比率大于1的氮化钛层。对该合成结构进行退火，使得含钴膜中的钴和含硅导电区中的硅彼此反应，从而形成一硅化钴膜。当在高温下形成硅化钴膜的时候，也形成一扩散抑制界面膜。

主权项

1.一种形成硅化钴膜的方法，所述方法包括：在具有绝缘区和含硅导电区的半导体衬底的表面上形成含钴膜，该含钴膜在一定的温度下形成，该温度使得含钴膜中的钴与含硅导电区中的硅彼此反应从而形成由一硅化二钴或一硅化一钴构成的扩散抑制界面膜；在所述含钴膜上面形成富含钛的覆盖膜来获得一合成结构，所述富含钛的覆盖膜具有超过1的钛/其他元素的原子百分比比率；以及退火该合成结构，使得所述扩散抑制界面膜被转化为二硅化一钴膜，并且所述含钴膜中的钴与含硅导电区中的硅反应从而形成二硅化一钴膜。