[发明专利]用于使薄层太阳能模块形成结构的方法无效
| 申请号： | 200710199771.8 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101232059A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | D·曼茨 | 申请（专利权）人： | 曼兹自动化股份公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/302;H01L21/84;H01L31/042;H01L27/142 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹若;赵辛 |
| 地址： | 德国罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于使薄层太阳能模块(15)形成结构的方法，其中在衬底(1)上涂覆多个薄层(2，4，10)，并且其中在薄层(2，4，10)中分别加入线状刻痕(3，5，11)，在刻痕中再去除至少一个薄层(2，4，10)的材料，其特征在于，在加入新的刻痕(5，11)之前或期间确定现有刻痕(3，5)的走向，并且在加入新的刻痕(5，11)时相对于现有刻痕(3，5)的走向调节新的刻痕(5，11)走向。由此可以加工具有改善的效率的薄层太阳能模块。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄层 太阳能 模块 形成 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于使薄层太阳能模块(15)形成结构的方法，其中在衬底(1)上涂覆多个薄层(2，4，10)，并且其中在薄层(2，4，10)中分别加入线状刻痕(3，5，11)，在刻痕中再去除至少一个薄层(2，4，10)的材料，其特征在于，在加入新的刻痕(5，11)之前或期间确定现有刻痕(3，5)的走向，并且在加入新的刻痕(5，11)时相对于现有刻痕(3，5)的走向调节新的刻痕(5，11)的走向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于曼兹自动化股份公司，未经曼兹自动化股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710199771.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
