[发明专利]半导体集成电路及其操作方法无效

专利信息
申请号: 200710199845.8 申请日: 2007-12-14
公开(公告)号: CN101206917A 公开(公告)日: 2008-06-25
发明(设计)人: 金真怜;宋基焕;朴德夏 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;G11C11/4091
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体集成电路包括:多个字线;与该多个字线交叉的多个位线;在该多个字线和多个位线的交叉处形成并连接到该多个字线和多个位线的多个存储器单元。该多个存储器单元的每一个可以是浮置体单元。位线选择电路可以被配置为选择性地将该多个位线的每一个连接到输出位线。该实施例还可以包括多个读出放大器,其中该多个读出放大器的数目大于1且小于该多个位线的数目。读出放大器开关结构可以被配置为选择性地将该多个读出放大器的每一个连接到该输出位线。
搜索关键词: 半导体 集成电路 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,包括:多个字线;与该多个字线交叉的多个位线;在该多个字线和多个位线的交叉处形成并连接到该多个字线和多个位线的多个存储器单元,该多个存储器单元的每一个是浮置体单元;位线选择电路,其被配置为选择性地将该多个位线的每一个连接到输出位线;多个读出放大器,该多个读出放大器的数目大于1且小于该多个位线的数目;以及读出放大器开关结构,其被配置为选择性地将该多个读出放大器的每一个连接到所述输出位线。
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