[发明专利]形成电路图案的光刻方法无效
| 申请号： | 200710199929.1 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101271280A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 文载寅 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/14;G03F1/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 许向华;彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成电路图案的光刻方法，用于抑制抗蚀浮渣，包括设计具有线图案和衬垫图案的原始版图，从原始版图提取衬垫图案版图，相对于衬垫图案版图缩小第一缩影宽度来获得第一缩影版图，相对于衬垫图案版图缩小大于第一缩影宽度的第二缩影宽度来获得第二缩影版图，通过从第一缩影版图中除去第二缩影版图，获得与衬垫图案版图自对准的辅助图案版图，通过从原始版图中除去辅助图案版图而在原始版图中产生辅助图案，并通过曝光工艺在半导体衬底上投映包括辅助图案的版图。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电路 图案 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成电路图案的光刻方法，包括如下步骤：设计包括线图案和衬垫图案的原始版图；从所述原始版图提取衬垫图案版图；获得相对于所述衬垫图案版图缩小第一缩影宽度的第一缩影版图；获得相对于所述衬垫图案版图缩小大于所述第一缩影宽度的第二缩影宽度的第二缩影版图；通过从所述第一缩影版图中除去所述第二缩影版图获得与所述衬垫图案版图自对准的辅助图案版图；通过从所述原始版图中除去所述辅助图案版图而在所述原始版图中产生辅助图案；以及通过曝光工艺在半导体衬底上投映包括所述辅助图案的版图。
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