[发明专利]形成基于氧化物的纳米结构材料的方法无效

专利信息
申请号: 200710199933.8 申请日: 2007-09-30
公开(公告)号: CN101219777A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 金相侠;李善英;孟成烈;明惠珍 申请(专利权)人: 韩国电子通信研究院
主分类号: C01B13/18 分类号: C01B13/18;B82B3/00;C23C18/00;C23C14/22;C23C16/40;B05D7/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋莉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种形成基于氧化物的纳米结构材料的方法,该方法包括利用具有与所需的基于氧化物的纳米结构材料相同组成的纳米核生长纳米结构材料。在衬底上涂布溶液,该溶液包含:含有作为过渡金属或半金属的M的有机前体;和溶解该有机前体的有机溶剂。通过使衬底退火,在衬底上形成组成为MxOy的纳米核。通过在向纳米核中提供含有M的反应前体的同时生长纳米核而形成组成为MxOy的纳米结构材料,并使该纳米结构材料退火。
搜索关键词: 形成 基于 氧化物 纳米 结构 材料 方法
【主权项】:
1.一种形成基于氧化物的纳米结构材料的方法,该方法包括:在衬底上涂布溶液,该溶液包含(a)含有作为过渡金属或半金属的M的有机前体和(b)溶解该有机前体的有机溶剂;通过使涂有该溶液的衬底退火而在该衬底上形成组成为MxOy的纳米核,其中x是1-3的整数且y是1-6的整数;通过在向纳米核中提供含有M的反应前体的同时生长纳米核而形成组成为MxOy的纳米结构材料,其中x是1-3的整数且y是1-6的整数;以及使该纳米结构材料退火。
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