[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 200710200755.6 | 申请日： | 2007-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101320771A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 朱源发 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件，其包括基底，形成在基底上且包括一第一型半导体层和一第二型半导体层的半导体发光结构，及极性相反的第一电极和第二电极；所述第一电极与第二电极分别与第一型半导体电连接和第二型半导体电连接；所述第二电极包括一透光导电层以及一与所述透光导电层电接触的图案化金属导电层，且所述透光导电层的到图案化金属导电层的最小横向距离小于等于300微米的区域之面积和为透光导电层所在区域之面积的80％及以上。由于透光导电层具透光及阻抗较低的特性，且所述透光导电层的到图案化金属导电层的最小横向距离小于等于300微米的区域之面积总和为透明导电层所在区域之面积的80％及以上，其利于电流横向扩散进而可获得较佳发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其包括基底、形成在基底上的半导体发光结构、以及极性相反的第一电极和第二电极，所述半导体发光结构包括一第一型半导体层和一第二型半导体层，所述第一电极和第二电极分别与第一型半导体层和第二型半导体层形成电连接，其特征在于：所述第二电极包括一透光导电层和一与透光导电层电接触的图案化金属导电层，所述透光导电层的到图案化金属导电层的最小横向距离小于等于300微米的区域之面积总和为透光导电层所在区域之面积的80％及以上。
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