[发明专利]太阳能电池及其制造设备和制造方法无效

专利信息
申请号: 200710201194.1 申请日: 2007-07-27
公开(公告)号: CN101355110A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 陈杰良 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/02;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种太阳能电池,其包括一个可以挠曲的基板,一层背电极,一层P型半导体层,一层P-N结层,一层N型半导体层,一层透明导电层及一层前电极。该基板的材料是不锈钢。该背电极形成在该基板的一个表面上。该P型半导体层形成在该背电极上。该P-N结层形成在该P型半导体层上。该N型半导体层形成在该P-N结层上。该透明导电层形成在该N型半导体层上。该前电极形成在该透明导电层上。本发明太阳能电池的基板是可挠曲的不锈钢基板,故太阳能电池可挠曲,将其应用于建筑领域时,更容易配合建筑物本身的形状设计成不同几何形状的太阳能电池,使设计更有弹性。此外,本发明还提供了一种制造上述太阳能电池的设备及方法。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 设备 方法
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池包括:一个可以挠曲的基板,该基板的材料是不锈钢;一层背电极,该背电极形成在该基板的一个表面上;一层P型半导体层,该P型半导体层形成在该背电极上;一层P-N结层,该P-N结层形成在该P型半导体层上;一层N型半导体层,该N型半导体层形成在该P-N结层上;一层透明导电层,该透明导电层形成在该N型半导体层上;一层前电极,该前电极形成在该透明导电层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司,未经鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710201194.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top