[发明专利]白光发光装置及其制作方法无效
| 申请号： | 200710201498.8 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101378103A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600上海市松江区松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种白光发光装置及其制作方法，所述白光发光装置包括发光二极管芯片、荧光物质层及反射层。发光二极管芯片包括基底及位于基底上的发光结构，发光结构包括第一型半导体层、第二型半导体层以及位于第一及第二型半导体层之间的活性层，第一型半导体层、活性层及第二型半导体层沿远离基底的方向排列，基底上形成有至少一凹槽以暴露出部分第一型半导体层，发光二极管芯片具有多个侧面。荧光物质层配置在发光二极管芯片的基底的至少一凹槽内，用于波长转换以形成白光。反射层形成在发光二极管芯片的多个侧面上以环绕发光二极管芯片。所述白光发光装置经由反射层以及荧光物质层位置的设置，因而出光颜色均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 白光 发光 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
【权利要求1】一种白光发光装置，其包括：一发光二极管芯片，其包括一基底及一位于基底的发光结构，所述发光结构包括一第一型半导体层、一与所述第一型半导体层导电类型相反的第二型半导体层以及一位于所述第一型半导体层与第二型半导体层之间的活性层，所述第一型半导体层、活性层及第二型半导体层沿远离所述基底的方向排列，所述基底上形成有至少一凹槽以暴露出部分所述第一型半导体层，所述发光二极管芯片具有多个侧面；一荧光物质层，其配置在所述发光二极管芯片的所述基底的所述至少一凹槽内，用于波长转换以形成白光；以及一反射层，其形成在所述发光二极管芯片的所述多个侧面上以环绕所述发光二极管芯片。
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