[发明专利]引线框架及其制造方法有效
申请号: | 200710300120.3 | 申请日: | 2007-12-17 |
公开(公告)号: | CN101465333A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 谢锋;王宏杰;周永华;夏一凡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种引线框架及其制造方法。该引线框架在出口区域的表面上电镀有金属银。根据本发明实施例的引线框架的制造方法在对引线框架的内部引线的引脚位置电镀金属银的同时对引线框架的出口区域电镀金属银。 | ||
搜索关键词: | 引线 框架 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种引线框架,其特征在于所述引线框架包括:用来设置半导体芯片的焊盘,所述焊盘位于引线框架的中心;围绕所述焊盘向外延伸的多个引线组,每个引线组包括多条引线,引线用于连接到所述焊盘上的半导体芯片;以及分别位于所述多个引线组中的两个相邻的引线组之间的外端的进口区域和出口区域,所述进口区域和出口区域分别对应于成型过程中的灌注进口和灌注出口;在所述出口区域的表面上电镀有与灌注材料的粘合力小的金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司,未经三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710300120.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:质子交换膜燃料电池双极板多道蛇行流场结构
- 下一篇:静电卡盘的测温装置