[发明专利]非易失性闪存的操作方法有效
| 申请号： | 200710301009.6 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101202111A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黄俊仁;陈嘉荣;何信义 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例包括一种存储单元的编程方法。此存储单元在第一状态具有最大初始起始电压。存储单元将被编程至多个状态其中之一，其具有一个相对于最大初始起始电压的较高的目标起始电压。在最大起始电压和目标起始电压之间具有线索(cue)电压，此存储单元有漏极区。此方法包括利用具有第一宽度的编程脉冲，对该存储单元施加漏极电压；判断该存储单元是否已达到线索起始电压；以及若是该存储单元达到线索起始电压，则将编程脉冲宽度由第一脉冲宽度改变为第二脉冲宽度，其中第二脉冲宽度小于第一脉冲宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 闪存 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种编程存储单元的方法，其在第一状态具有最大起始电压，在多数个状态中的其中之一具有相对于该最大起始电压的较高的目标临界电压，其中在该最大起始电压和该目标临界电压之间具有线索电位，该存储单元有漏极区，该方法包括：(a)利用具有第一宽度的编程脉冲，对该存储单元施加漏极电压；(b)判断该存储单元是否已达到该线索临界电压；以及(c)若是该存储单元达到该线索临界电压，则将该编程脉冲宽度由第一脉冲宽度改变为第二脉冲宽度，该第二脉冲宽度小于该第一脉冲宽度。
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