[发明专利]能够降低耦合效应的存储单元编程方法无效
| 申请号： | 200710301180.7 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101211662A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 赵庆来;玄在雄;边成宰;朴奎灿;朴允童;李忠浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;安宇宏 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储单元编程方法，在该存储单元编程方法中，使用多个阈值电压分布来执行第一至第n编程操作，以编入n位数据的第一至第n位。顺序地执行第一至第n编程操作。在第n编程操作中使用的阈值电压分布之间的阈值电压差小于或等于在第一至第n－1编程操作中使用的阈值电压分布之间的阈值电压差中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 降低 耦合 效应 存储 单元 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元编程方法，用于在具有多个阈值电压分布的存储单元中编入n位数据，该方法包括：第一至第n编程操作，编入所述n位数据的第一至第n位，所述第一至第n编程操作是使用所述多个阈值电压分布来执行的，并且是被顺序地执行的；其中：在所述第n编程操作中使用的阈值电压分布之间的差小于或等于在所述第一至第n-1编程操作中使用的阈值电压分布之间的差中的至少一个。
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