[发明专利]垂直型CMOS图像传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 200710301521.0 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101207083A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李相起 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直型CMOS图像传感器及其制备方法，通过其可以有效减小上线和暗屏蔽层之间的电容。该垂直型CMOS图像传感器可以包括在金属间介电层之上形成的钝化氧化物层，其中钝化氧化物层的最高表面包括在下部和与具有多个金属线的金属间介电层的部分相对应的上部之间的倾斜部分；在钝化氧化物层的上部之上形成的暗屏蔽层；以及在包括暗屏蔽层的半导体衬底之上形成的氮化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 cmos 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在具有多个光电二极管的半导体衬底之上形成具有多个金属线的金属间介电层；在金属间介电层之上形成钝化氧化物层；在与多个金属线相对应的钝化氧化物层部分之上形成第一光刻胶图案；使用第一光刻胶图案通过湿式蚀刻工艺形成钝化氧化物层的倾斜部分；在与具有多个金属线的金属间介电层的部分相对应的钝化氧化物层的一部分之上并且使用钝化氧化物层的倾斜部分作为对准键形成暗屏蔽层；并且随后在包括暗屏蔽层的半导体衬底之上形成氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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