[发明专利]硬掩膜组合物和形成材料层的方法及半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200710302240.7 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101205291A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 邢敬熙;金钟涉;鱼东善;吴昌一;尹敬皓;金旼秀;李镇国 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | C08G61/10 | 分类号： | C08G61/10;G03F7/004;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周建秋;王凤桐 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了说明书中描述的式1－3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物中的任意一种。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。本发明还提供了一种利用该组合物形成图案的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩膜 组合 形成 材料 方法 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种含芳环的聚合物，该聚合物如式1所示：![]()
其中，G选自![]()
![]()
和![]()
R1选自-CH2-、![]()
![]()
和![]()
R2和R3各自独立地选自氢、羟基、C1-C10的烷基、C6-C10的芳基、烯丙基和卤素，并且1≤n＜750。
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