[发明专利]等离子体辅助有机薄膜沉积装置有效
申请号: | 200710302363.0 | 申请日: | 2007-12-25 |
公开(公告)号: | CN101469415A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 黄国兴;林东颖;张均豪;王家宏;王登彦 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;祁建国 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体辅助有机薄膜沉积装置,其主要由一等离子体产生室及一沉积室构成,该等离子体产生室可等离子体热裂解该等离子体产生室内的可聚合材料气体;该沉积室与该等离子体产生室连通,用以接收该热裂解的可聚合材料气体,该沉积室包括一基板装置,该基板装置可供该热裂解的可聚合材料气体沉积于其上以形成有机薄膜;由于等离子体产生室与沉积室分离,因此可提供一低温薄膜沉积工艺,并可避免等离子体离子直接撞击基板;另可于该等离子体产生室的出口端设置导流装置,对可聚合材料气体产生导流或扰流作用,避免过度集中于出口端或基板中心,可有效改善有机薄膜表面粗糙度并提升其均匀性。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 辅助 有机 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种等离子体辅助有机薄膜沉积装置,其特征在于,包含:一等离子体产生室,用以对该等离子体产生室内的可聚合材料气体进行热裂解;一沉积室,与该等离子体产生室连通,用以接收该已热裂解的可聚合材料气体,该沉积室包括一基板装置,该基板装置可供该热裂解的可聚合材料气体沉积于其上以形成有机薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的