[发明专利]一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法。这种MOS器件在俯视平面上，中心区设有并联单胞组成的阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，终端保护结构由位于内圈的至少一个保护环和位于外圈的一个截止环组成，由于保护环和截止环均采用沟槽型导电多晶硅，在器件制造过程中，单胞栅电极引线采用直接在沟槽多晶硅上开孔引线，因此与现有普通平面式场板结构的深沟槽大功率MOS器件制造方法相比，在不影响器件性能的前提下，减少了两块光刻版及相应工艺，大大降低制造成本。

主权项

1.一种深沟槽大功率N型MOS器件，在俯视平面上，中心区由并联的单胞组成阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构；所述阵列内单胞通过沟槽导电多晶硅而并联成整体，终端保护结构由位于内圈的至少一个保护环和位于外圈的一个截止环组成，其特征在于：P阱层存在于整个终端保护区域；在截面上保护环采用沟槽结构，沟槽位于轻掺杂P阱层，其深度伸入P阱层下方的轻掺杂N型外延层，沟槽壁表面生长有绝缘栅氧化层，沟槽内淀积有导电多晶硅，沟槽顶部的槽口由绝缘介质覆盖，以此构成沟槽型导电多晶硅浮置场板结构的保护环；在截面上截止环采用沟槽结构，该沟槽宽度大于单胞的沟槽宽度，沟槽位于轻掺杂P阱层，其深度伸入P阱层下方的轻掺杂N型外延层，沟槽壁表面生长有绝缘栅氧化层，沟槽内淀积有导电多晶硅，沟槽顶部设置金属连线，沟槽外侧为P阱层或者上方带N+注入区域的P阱层，该金属连线将沟槽内的导电多晶硅与沟槽外侧的P阱层连接成等电位，或者将沟槽内的导电多晶硅同时与沟槽外侧的N+注入区及P阱层连接成等电位，沟槽顶部的槽口由绝缘介质覆盖，以此构成沟槽型导电多晶硅的截止环。