[发明专利]二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器有效
| 申请号： | 200710304220.3 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101471421A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;刘明;龙世兵;贾锐;管伟华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，该存储器包括：一上导电电极；一下导电电极；一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子。本发明在二元过渡族金属氧化物中注入离子，可以极大地提高器件的产率，增加器件高、低阻态之间的比值，减小各个器件之间电阻转变特性的离散值。本发明的存储器器件具有结构简单，易集成，成本低，与传统的硅平面CMOS工艺兼容等优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 二元 过渡 金属 氧化物 挥发 电阻 转变 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，该存储器包括：一上导电电极；一下导电电极；一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710304220.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种分组传送网的保护方法
- 下一篇：一种CPU降温器
