[发明专利]一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺

摘要

本发明涉及一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其扩散步骤主要分为两步，具体包括：(1)进行第一次扩散：将硅片放入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，扩散温度在800～860℃，时间为15～30分钟；(2)将扩散炉温度升至870～920℃，并将硅片稳定放置10～30分钟进行再分布；(3)进行第二次扩散：扩散温度在870～920℃，时间为1～10分钟；(4)扩散过程结束，扩散炉降温，并将硅片取出。本发明基于以上方法，得到了更加优化的发射区掺杂曲线，从而降低了发射区中高掺杂带来的俄歇复合，可使电池的短路电流提高0.5～1mA/cm²。采用以上方法时发射区的薄层电阻以及发射区和栅线间的接触电阻都不会增加，并且所有扩散步骤仍在炉管中连续进行，并未增加工艺的复杂性。

主权项

1.一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其扩散步骤主要分为两步，具体包括：(1)进行第一次扩散：将硅片放入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，扩散温度在800～860℃，时间为15～30分钟；(2)将扩散炉温度升至870～920℃，并将硅片放置10～30分钟进行再分布；(3)进行第二次扩散：扩散温度在870～920℃，时间为1～10分钟；(4)扩散过程结束。扩散炉降温，并将硅片取出。