[发明专利]集成电感结构有效

专利信息
申请号: 200710305208.4 申请日: 2007-12-29
公开(公告)号: CN101471343A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 黄凯易;叶达勋;简育生 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/08 分类号: H01L27/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种集成电感结构,其包括半导体基底以及设于半导体基底上方的电感金属层。半导体基底与电感金属层之间设有介电层。于电感金属层正下方的半导体基底中,设有阱防护层,包括多个小区块N型离子阱以及多个小区块P型区域,彼此相间重复排列组合,呈现棋盘状布局。在半导体基底中,设置有环绕着阱防护层的P+拾取环。在P+拾取环的正上方则设有保护环,其由多层金属层及插塞所构成。
搜索关键词: 集成 电感 结构
【主权项】:
1. 一种集成电感结构,包括:半导体基底;电感金属层,设于该半导体基底上;至少一介电层,介于该半导体基底与该电感金属层之间;以及阱防护层,设于该电感金属层正下方的该半导体基底中,该阱防护层包括呈棋盘状排列的多个N型掺杂区域以及多个P型掺杂区域。
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