[发明专利]贯通孔电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710305450.1 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101471176A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 吴邦豪;蔡丽端;李明林;郑丞良 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H01G4/005;H01G4/008;H01G13/00;H05K1/02;H05K1/16;H05K3/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种贯通孔电容器及其制造方法。该贯通孔电容器至少包含一个基板、一层正极层、一层介电层、一层第一负极层及一层第二负极层。上述基板具有数个贯通孔，且于至少一贯通孔的内表面有正极层，且至少一贯通孔内正极层的表面为多孔结构。介电层则位于正极层的多孔结构上。至于第一负极层是覆盖于介电层的表面，第二负极层是覆盖于第一负极层的表面，其中第二负极层的电导率大于第一负极层的电导率。当此通孔的负极层作为信号传输时，此结构电容又可当成阻抗匹配结构使用。 | ||
| 搜索关键词： | 贯通 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种贯通孔电容器，至少包括：基板，该基板具有多个贯通孔；正极层，位于至少一贯通孔的内表面，其中至少一贯通孔内该正极层的表面为多孔结构；介电层，位于该正极层的该多孔结构上；第一负极层，覆盖于该介电层的表面；以及第二负极层，覆盖于该第一负极层的表面，其中该第二负极层的电导率大于该第一负极层的电导率。
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