[发明专利]具有栅极堆叠结构的半导体器件有效
| 申请号： | 200710305601.3 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101257040A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 林宽容;梁洪善;赵兴在;金兑京;金龙水;成敏圭 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有栅极堆叠结构的半导体器件，包括第一导电层、位于所述第一导电层上方的第一中间结构、位于所述第一中间结构上方的第二中间结构以及位于所述第二中间结构上方的第二导电层。所述第一中间结构包括金属硅化物层和含氮金属层。所述第二中间结构包括至少含氮金属硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 堆叠 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电层；在所述第一导电层上方的第一中间结构，所述第一中间结构包括金属硅化物层和含氮金属层；在所述第一中间结构上方的第二中间结构，所述第二中间结构包括至少含氮金属硅化物层；和在所述第二中间结构上方的第二导电层。
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