[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710305602.8 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101257051A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 都官佑;卢载盛;李起正;吉德信;金荣大;金珍赫;朴京雄;宋翰相 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/43;H01L27/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种电容器，包括下电极、介电层、上电极、和氧化钌层。下电极和上电极中的至少其一由钌层形成，并且氧化钌层与钌层邻接布置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，包括：下电极；上电极；位于所述下电极和所述上电极之间的介电层；和氧化钌层，其中所述下电极和所述上电极中的至少其一包含钌层，并且所述氧化钌层与所述钌层邻接布置。
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