[发明专利]金属吸附装置及方法无效
| 申请号： | 200710305935.0 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101211763A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张泽龙;李炳一;李永浩;张锡弼 | 申请（专利权）人： | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供为了通过金属诱导结晶化方式使硅结晶化而将金属或金属化合物吸附于非晶质硅薄膜上的装置及吸附方法。本发明的金属吸附装置(10)包含：供给含有金属的源气体的源气体供给部(11)；供给辅助气体的辅助气体供给部(12)；通过源气体与辅助气体的反应而使金属吸附于非晶质硅薄膜上的反应室(16)；以及通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来控制吸附于非晶质硅薄膜上的金属的量的控制部(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 吸附 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.金属吸附装置，其是为了通过金属诱导结晶化方式使硅结晶化而将金属吸附在非晶质硅上的装置，其特征在于，其包含：供给含有金属的源气体的源气体供给部；供给辅助气体的辅助气体供给部；通过所述源气体与所述辅助气体的反应来使金属吸附在所述非晶质硅上的反应室；以及通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来控制吸附在所述非晶质硅上的金属的量的控制部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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