[发明专利]制造快闪存储器件的方法无效
| 申请号： | 200710306326.7 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101335245A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 申承祐;金恩洙;金奭中;赵种慧 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了制造半导体快闪存储器件的方法，所述方法避免并防止对浮置栅极的导电层的损伤。所公开的方法可防止电荷捕获密度性能的降低并改善器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 闪存 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造快闪存储器件的方法，所述方法包括：提供具有有源区和隔离区的半导体衬底，在所述有源区上层叠形成隧道绝缘层和第一导电层，在所述隔离区上形成沟槽；在所述沟槽中形成第一绝缘层；沿所述第一导电层和所述第一绝缘层的表面形成保护层以保护所述第一导电层；和，在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层以形成隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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