[发明专利]包括钌电极的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710306332.2 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101299421A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 金珍赫;卢载盛;廉胜振;李起正;宋翰相;吉德信;金荣大 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/768;H01L21/02;H01L21/28;H01L27/108;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包含钌电极的半导体器件及其制造方法，一种半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底上的绝缘图案；绝缘图案上的蚀刻停止层，绝缘图案与蚀刻停止层限定的暴露所述衬底的接触孔；填充接触孔的一部分的第一塞；在第一塞上方以及接触孔的其余部分的底部和侧壁上形成的扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成并填充接触孔的第二塞；和连接第二塞并形成在其上的存储节点。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电极 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的绝缘图案，和在所述绝缘图案上的蚀刻停止层，所述绝缘图案和所述蚀刻停止层限定暴露出所述半导体衬底的接触孔；填充在所述接触孔的下部的第一塞；形成在所述第一塞上方以及在所述接触孔的剩余部分的底部与侧壁上的扩散阻挡层，；在所述扩散阻挡层上形成并填充所述接触孔的第二塞；和连接所述第二塞并在所述第二塞上形成的存储节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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