[发明专利]阻抗匹配电路和具有阻抗匹配电路的半导体存储器有效
| 申请号： | 200710306342.6 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101256826A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 郑椿锡;李在真 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器的阻抗匹配电路，使用反映在制造过程中的变化的偏移误差的初始值来执行ZQ校准。所述阻抗匹配电路包括第一下拉电阻单元、第一上拉电阻单元和码产生单元。所述第一下拉电阻单元向第一节点提供地电压，由此确定初始下拉码。所述第一上拉电阻单元向所述第一节点提供电源电压，由此确定在所述第一节点上的初始上拉码或电压电平。所述码产生单元使用所述初始下拉和上拉码作为各自的初始值来产生下拉和上拉校准码。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗匹配 电路 具有 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器的阻抗匹配电路，包括：第一下拉电阻单元，用于向第一节点提供地电压，由此确定初始下拉码；第一上拉电阻单元，用于向第一节点提供电源电压，由此确定在第一节点上的初始上拉码或电压电平；以及码产生单元，用于分别使用所述初始下拉和上拉码作为初始值来产生下拉和上拉校准码。
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