[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710306670.6 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101442073A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 菊地修一;中谷清史;田中秀治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在含有DMOS晶体管的半导体器件中，减小芯片面积且导通电阻低、电流驱动能力高的DMOS晶体管。在N型外延层(2)的表面上形成相反导电类型(P型)的P+W层(4)，在该P+W层(4)内形成DMOS晶体管(50)。用P+W层(4)使外延层(2)与漏极区域绝缘。由此，就能够在用绝缘分离层(15)包围的一个区域内混载DMOS晶体管和其它的器件元件。此外，在栅极(6)下方的P+W层(4)的表面区域中形成N型FN层(20)。形成与栅极(6)的漏极层(12)侧的端部相邻接的N+D层(23)。此外，在漏极层(12)的接触区域的下方，形成比漏极层(12)更深的P型杂质层(P+D层(22)、FP层(24))。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，包括：在第1导电类型的半导体层的表面上形成的、具有元件分离功能的第2导电类型的阱层；和在上述阱层内形成的DMOS晶体管，上述DMOS晶体管包括：包含在上述阱层的表面上形成的沟道区域的第2导电类型的体层；在上述体层的表面上形成的第1导电类型的源极层；在上述体层的一部分上隔着栅极绝缘膜形成的栅极；在上述阱层的表面上形成的第1导电类型的漏极层；和在上述栅极下方形成的、降低导通电阻的第1导电类型的第1扩散层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710306670.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
