[发明专利]半导体装置和光检测方法无效
| 申请号： | 200710306895.1 | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101201434A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 木岛公一朗 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其包括设置在半导体区域内且在绝缘层上的光波导、以及设置在该光波导处的多个光检测器。所述多个光检测器包括栅绝缘场效应晶体管。所述多个光检测器以不同时序捕获数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：光波导，设置在半导体区域内且在绝缘层之上；以及多个光检测器，设置于该光波导处，其中所述多个光检测器包括栅绝缘场效应晶体管，且其中所述多个光检测器以不同时序捕获数据。
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