[发明专利]发光元件及其制造方法有效
申请号: | 200710307437.X | 申请日: | 2007-12-28 |
公开(公告)号: | CN101471413A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 姚久琳;徐大正 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波;陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一具有粗化表面的发光元件及其制造方法。该发光元件包含一具有一粗化表面的半导体发光叠层以及一电极形成于该半导体发光叠层上;其中,该粗化表面包含一第一粗化表面型态以及一第二粗化表面型态。该制造方法包括形成一半导体发光叠层于一基板上、形成一电极层于该半导体发光叠层上、热处理该半导体发光叠层、以及湿蚀刻该半导体发光叠层表面使形成一粗化表面。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体发光元件,包含:一半导体叠层,具有一粗化表面;以及一电极层,形成于该半导体叠层上;其中,该粗化表面包含一第一粗化表面型态及一第二粗化表面型态。
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