[发明专利]非易失性存储系统及其相应的编程方法有效
| 申请号： | 200710308183.3 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101202106A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 崔珍赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种包括主机系统，存储控制器，以及具有多级闪存单元的闪存芯片的非易失性存储系统。存储控制器包括备份存储器，在多级闪存单元进一步编程时，备份存储器适于储存以前编程在多级闪存单元的数据的备份。如果在进一步编程多级闪存单元期间出现错误或故障，用以前的编程数据的备份对不同的多级闪存单元编程。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储系统 及其 相应 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储系统，包括：包含多个多位非易失性存储单元的存储阵列；以及存储控制器，包括：缓冲存储器，适于储存被编程到多个多位非易失性存储单元的所选择的存储单元中的j位数据；以及备份存储器，适于储存在j位数据被编程到所选择的存储单元之前先前编程到所选择的存储单元的i位数据。
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