[发明专利]图像传感器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710308341.5 申请日: 2007-12-29
公开(公告)号: CN101325206A 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: 李玟炯 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/822
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器,包括:具有像素区和外围电路区的半导体衬底;具有形成在半导体衬底上的金属引线和焊盘的层间介电层;选择性地形成在金属引线上的下电极;形成在像素区的层间介电层上的光电二极管;以及形成在光电二极管上的上电极。因此,本发明能够提供晶体管和光电二管的填充因子接近100%的垂直集成方法,提供比现有技术更高的灵敏度,在不降低各单位像素的灵敏度的情况下实现更复杂的电路,通过防止像素之间的串扰等提高图像传感器的可靠性,通过增加在单位像素中的光电二极管的表面面积而提高光灵敏性的光学特性。
搜索关键词: 图像传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种图像传感器,包括:半导体衬底,具有像素区和外围电路区;层间介电层,具有形成在所述半导体衬底上的金属引线和焊盘;下电极,选择性地形成在所述金属引线上;光电二极管,形成在所述像素区的所述层间介电层上;以及上电极,形成在所述光电二极管上。
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