[发明专利]图像传感器及其制备方法无效
申请号: | 200710308341.5 | 申请日: | 2007-12-29 |
公开(公告)号: | CN101325206A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 李玟炯 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器,包括:具有像素区和外围电路区的半导体衬底;具有形成在半导体衬底上的金属引线和焊盘的层间介电层;选择性地形成在金属引线上的下电极;形成在像素区的层间介电层上的光电二极管;以及形成在光电二极管上的上电极。因此,本发明能够提供晶体管和光电二管的填充因子接近100%的垂直集成方法,提供比现有技术更高的灵敏度,在不降低各单位像素的灵敏度的情况下实现更复杂的电路,通过防止像素之间的串扰等提高图像传感器的可靠性,通过增加在单位像素中的光电二极管的表面面积而提高光灵敏性的光学特性。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种图像传感器,包括:半导体衬底,具有像素区和外围电路区;层间介电层,具有形成在所述半导体衬底上的金属引线和焊盘;下电极,选择性地形成在所述金属引线上;光电二极管,形成在所述像素区的所述层间介电层上;以及上电极,形成在所述光电二极管上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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