[实用新型]一种半导体泵浦的腔内倍频激光器有效

专利信息
申请号: 200720008219.1 申请日: 2007-09-14
公开(公告)号: CN201134609Y 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 陈卫民;吴砺;郑伟;杨建阳;黄有义;胡企铨 申请(专利权)人: 福州高意通讯有限公司
主分类号: H01S3/08 分类号: H01S3/08;H01S3/109;H01S3/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350014福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型涉及一种半导体泵浦的腔内倍频激光器,其包括激光增益介质与倍频晶体胶合成微片或激光增益介质、倍频晶体与光学材料胶合成微片,其中微片的一端面镀有激光腔膜层,另一端侧设有一片激光腔片或者微片的两端侧分别设有激光腔片,采用以上结构,自己形成稳腔结构,不需要靠热透镜形成稳腔,因而调制上升沿较快,同时采用腔片与微片分立,可以根据需要调整腔长,可以应用于较高功率激光腔设计中,还保持了通常微片式激光器结构紧凑、体积小、成本低的特点,减少了调整环节。
搜索关键词: 一种 半导体 倍频 激光器
【主权项】:
1、一种半导体泵浦的腔内倍频激光器,包括激光增益介质与倍频晶体胶合成微片或激光增益介质、倍频晶体与光学材料胶合成微片,其特征在于:其微片的一端面镀有激光腔膜层,另一端侧设有一片激光腔片或者微片的两端侧分别设有激光腔片。
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