[实用新型]一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置无效
| 申请号： | 200720016782.3 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN201132848Y | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杜昊;赵彦辉;闻立时 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/54 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及薄膜制备领域，具体地说是一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置，解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在，严重影响了涂层和薄膜的性能和寿命等问题。本实用新型双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之间，与靶材和基体同轴放置，基体后放置增强磁场的发生装置。本实用新型是在电弧离子镀沉积工艺中使用的简便装置，用以减少薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜的质量，达到制备高质量薄膜的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 电弧 离子镀 沉积 质量 薄膜 装置 | ||
【主权项】：
1、一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置，其特征在于：双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之间，与靶材和基体同轴放置，基体后放置增强磁场的发生装置。
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