[实用新型]等离子体化学气相淀积装置有效
申请号: | 200720032642.5 | 申请日: | 2007-08-31 |
公开(公告)号: | CN201121209Y | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 杨银堂;周端;柴常春;李跃进;刘毅;汪家友;付俊兴;俞书乐;吴振宇 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/52 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 | 代理人: | 王品华;黎汉华 |
地址: | 710065*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种等离子体化学气相淀积装置,该装置包括微波功率源及传输部件101、微波谐振腔体102、工艺室与样品台部件103、真空部件104、气路部件105、自动传片部件106、控制部件107,其中,微波谐振腔体内设有等间隔排列的磁场装置306,样品台部件设在工艺室内部,微波谐振腔体、真空部件、自动传片部件分别与工艺室809相连,微波功率源及传输部件与微波谐振腔体相连,控制部件通过接口分别控制微波功率源及传输部件、工艺室与样品台部件、真空部件、气路部件的工作状态,完成薄膜的淀积工艺过程。本实用新型具有大面积均匀性好、淀积速率高、自动化程度和生产效率高、可靠性好、功耗小、稳定性和重复性好的优点,可用作制备微电子薄膜的设备。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 化学 气相淀积 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体化学气相淀积装置,包括微波功率源及传输部件(101)、微波谐振腔体(102)、工艺室与样品台部件(103)、真空部件(104)、气路部件(105),其特征在于:微波功率源及传输部件(101)设有矩形-同轴波导转换器(209)和微波谐振腔同轴波导(210);微波谐振腔体(102)由上圆波导(301)-锥形波导(302)-下圆波导(313)三段组成,底部设有介质窗(303);工艺室与样品台部件(103)设有承片部件(801)和加热部件(814);该工艺室与样品台部件(103)连接有自动传片部件(106);所述的微波谐振腔体(102)、真空部件(104)、自动传片部件(106)、气路部件(105)分别与工艺室与样品台部件(103)相连,所述的每个部件均通过控制部件(107)连接控制。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的