[实用新型]RF输出超时保护器无效
| 申请号： | 200720044081.0 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN201117638Y | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 刘加琪;查永强;蒋民峰;单玉才;周世峰 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;H02H5/00;G08B7/06 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉;姚姣阳 |
| 地址： | 215025江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型针对蚀刻过程中，由于控制计算机软体陷入死循环而导致晶圆长时间暴露于电浆中报废的风险，提供了一种RF输出超时保护器。该RF输出超时保护器，包括计时系统、数字信号处理器和若干I/O端口，其特征在于：所述的RF输出超时保护器装设于控制计算机朝向射频功率发生器的信号传输路径中，并且与射频功率发生器的反馈信号输出端相连接。通过该RF输出超时保护器的计时功能，监视射频功率发生器的工作状态，对于异常的超时情况及时予以终止控制；再辅以声光报警提醒工作人员进行调整、处理，从而达到保护晶圆的目的。 | ||
| 搜索关键词： | rf 输出 超时 保护 | ||
【主权项】：
1.RF输出超时保护器，包括计时系统、数字信号处理器和若干I/O端口，其特征在于：所述的RF输出超时保护器装设于控制计算机朝向射频功率发生器的信号传输路径中，并且与射频功率发生器的反馈信号输出端相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于和舰科技(苏州)有限公司，未经和舰科技(苏州)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200720044081.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：花篮式天馈插针连接器
- 下一篇：湿法浸入式设备的药液处理槽
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
