[实用新型]薄膜沉积装置无效
| 申请号： | 200720067624.0 | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN201049962Y | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刘兆虎;方文勇;曾海;陈冬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜沉积装置，涉及半导体制程中薄膜沉积技术。该薄膜沉积装置包括一个真空处理室及将被沉积薄膜的基片和靶材包围于其内的金属保护外壳，该金属保护外壳设有至少一个排气口，薄膜沉积装置中的残气至少部分由该排气口排出，达到了减少进入靶材与金属保护外壳之间的残气的效果，有效地避免或至少减少靶材表面起弧点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积装置，其包括真空处理室及金属保护外壳，所述金属保护外壳位于真空处理室内，且将被沉积薄膜的基片和靶材包围于其内，其特征在于：该金属保护外壳设有至少一个排气口，薄膜沉积装置中的残气至少部分由该排气口排出。
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