[实用新型]基于转接层的多芯片堆叠式组装无效
| 申请号： | 200720096117.X | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN201054353Y | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王向军;王仲;张宝 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/48;H01L23/482;H01L23/488 |
| 代理公司： | 天津盛理知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董一宁 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及到集成电路芯片封装与微电子器件组装技术。基于转接层的多芯片堆叠式组装，封装芯片的上、下端面分别设有电极构成双面电极芯片，同时封装芯片的上、下端面还分别设有平面跨接连线构成中间转接层，通过中间转接层可实现相邻两个双面电极芯片间各电极的任意跨接。封装芯片的侧面预留跨接电极用于多芯片间联接和间隔跨芯片联接，构成堆叠式组装的集成电路。上下端面电极的形式不限，可以分别设计为凸形和凹形。封装芯片和中间转接层可为圆柱体或矩形体。本实用新型的意义在于通过一种新的封装方式和堆叠式电路组装方式，使无PCB的微型电子系统成为可能，可以实现电子系统的微型化集成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 转接 芯片 堆叠 组装 | ||
【主权项】：
1.基于转接层的多芯片堆叠式组装，其特征在于封装芯片(1)的上、下端面分别设有上电极(2)和下电极(3)构成双面电极芯片，所述封装芯片(1)的上、下端面分别设有平面跨接连线(4)构成中间转接层(5)，通过中间转接层(5)实现相邻两个双面电极芯片间各电极的任意跨接，所述封装芯片(1)侧面预留跨接电极(6)用于多芯片间联接和间隔跨芯片联接，构成堆叠式组装的集成电路。
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