[实用新型]高效光电转换装置无效
| 申请号： | 200720098192.X | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN201138662Y | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘津平;刘文韬;高霞 | 申请（专利权）人： | 高霞 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142;H01L31/042;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300052天津市和平*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种光电转换装置，该装置的衬底的底面和/或表面具有凹凸形状结构，在该衬底的表面或底面覆有金属背电极层、过渡层、能带隙大于等于0.67eV的单层或多层叠合式光吸收区3、透明缓冲层、透明导电层、能带隙约等于1.25eV的单层或多层叠合式光吸收区2、透明缓冲层、透明导电层、能带隙大于等于1.8eV的单层或多层叠合式光吸收区3、透明缓冲层、透明导电层、集电栅/电极和/或减反射膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
1、一种高效光电转换装置，其特征在于：该装置的衬底的底面和/或表面具有凹凸形状结构，在该衬底的表面或底面覆有金属背电极层、过渡层、能带隙大于等于0.67eV的单层或多层叠合式光吸收区、透明缓冲层、透明导电层、能带隙约等于1.25eV的单层或多层叠合式光吸收区、透明缓冲层、透明导电层、能带隙大于等于1.8eV的单层或多层叠合式光吸收区、透明缓冲层、透明导电层、集电栅/电极和/或减反射膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
