[实用新型]单片集成的硅胎压温度传感器无效

专利信息
申请号: 200720103715.5 申请日: 2007-03-02
公开(公告)号: CN201057517Y 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 张兆华;林惠旺;刘理天;任天令 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01D21/02 分类号: G01D21/02;B60C23/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京市100*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 单片集成的硅胎压温度传感器属于压力、温度传感技术领域,其特征在于,含有:结构芯片,中间有一个硅杯,该硅杯中央有一个硅膜,其周围支撑的是厚体硅;四个压力敏感电阻,分别位于硅膜边界内的应力敏感区,形成一个压力传感器;一个温度敏感电阻,位于厚体硅的非应力敏感区,形成一个温度传感器;密封盖板,连接在所述结构芯片的下表面。该集成传感器的压力敏感元件的输出和压力值直接相关,而该集成传感器的温度敏感元件的输出和温度值密切相关。该集成传感器具有单片集成、制作简单、运行可靠的优点。
搜索关键词: 单片 集成 硅胎压 温度传感器
【主权项】:
1.单片集成的硅胎压温度传感器,其特征在于:该传感器含有结构芯片、封装盖板、压力敏感电阻以及温度敏感电阻,其中:结构芯片,中间有一个硅杯,该硅杯的中央有一片硅膜,硅膜的周围支撑的是厚体硅;压力敏感电阻,共四个,分别位于硅膜边界内应力敏感集中区,构成一个惠斯通电桥,形成一个压力传感器;温度敏感电阻,位于周围厚体硅非应力敏感区,形成一个温度传感器;密封盖板,连接在结构芯片的下端面。
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