[实用新型]一种ZnO基发光二极管无效
| 申请号： | 200720111809.7 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN201084747Y | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;曾昱嘉;卢洋藩;徐伟中 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型的ZnO基发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积有n－ZnO薄膜层、n－Zn1－xMgxO薄膜层、0＜x＜0.6，ZnO量子阱层、p－Zn1－xMgxO薄膜层、0＜x＜0.6，p－ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积有第一电极，其中ZnO量子阱层由z个周期的ZnO/Zn1－yMgyO量子阱层构成，0＜y＜0.5，z值为5～10。该ZnO基发光二极管以量子阱作为有源层，利于提高发光效率；采用O2/NO混合气体的非等离子体辅助氮掺杂生长p－ZnO和p－Zn1－xMgxO薄膜，通过优化NO/O2比例可以提高氮掺杂浓度，且ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种ZnO基发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(1)的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层(2)、n-Zn1-xMgxO薄膜层(3)、0＜x＜0.6，ZnO量子阱层(4)、p-Zn1-xMgxO薄膜层(5)、0＜x＜0.6，p-ZnO薄膜层(6)和第二电极(8)，在衬底(1)的另一面沉积有第一电极(7)，其中ZnO量子阱层由z个周期的ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层构成，0＜y＜0.5，z值为5～10。
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