[实用新型]半导体机台的改良结构无效

专利信息
申请号: 200720125505.6 申请日: 2007-08-17
公开(公告)号: CN201089790Y 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 刘相贤;郑启民 申请(专利权)人: 力鼎精密股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/54;H01L21/203;H01L21/363
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈肖梅;谢丽娜
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型涉及一种适用于晶圆沉积制程,具有降低污染物附着效果以及提高操作效率的半导体机台的改良结构。此半导体机台包括一外盖、一背板、一靶材绝缘板、一靶材、以及一沉积物挡板。靶材绝缘板设置于外盖与背板之间。靶材通过靶材绝缘板连接于外盖上。沉积物挡板具有一顶面,此顶面邻接且不直接接触于靶材绝缘板。此半导体机台借助沉积物挡板达到吸附靶材污染物,以降低靶材污染物附着于靶材绝缘板的功能,以提高半导体机台操作与使用效率。
搜索关键词: 半导体 机台 改良 结构
【主权项】:
1.一种半导体机台的改良结构,其特征在于,包括:一外盖;一背板;一靶材绝缘板,设置于该外盖与该背板之间;一靶材,通过该靶材绝缘板连接于该外盖;以及一沉积物挡板,具有一顶面,该顶面邻接且不直接接触该靶材绝缘板。
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