[实用新型]具有隔离墙和超薄P+阳极的快软恢复二极管芯片

摘要

一种具有隔离墙和超薄P⁺阳极的快软恢复二极管芯片，属快速整流器件技术领域。其目的是提供一种反向恢复时间短、反向恢复电荷少，正向通态电压小、反向耐压高、高温特性好、动态参数优良的快软恢复二极管芯片。其技术要点：芯片基区的周边为无激光孔隔离区域，通过P型杂质源扩散形成隔离墙，无激光孔隔离区域的上端内侧与阴极之间设置槽型玻璃钝化台面；且浓硼扩散区的厚度为10－50um。由于芯片的基区周边采用无激光孔的P型隔离区域，使P型杂质源在芯片的阴、阳极片周边扩散，形成隔离墙；浓硼扩散区采用超薄阳极，使快软恢复二极管的反向恢复时间达到50－200ns，而正向峰值电压在1.4－2.5V范围内。

主权项

1、一种具有隔离墙和超薄P+阳极的快软恢复二极管芯片，包括基区N，依次设置在基区上面的磷扩散区N+和阴极K，依次设置在基区下面的浓硼扩散区P+和阳极A，基区周边与阴极和阳极之间设置的槽型玻璃钝化台面，其特征在于：所述基区N的周边为无激光孔隔离区域，通过P型杂质源扩散形成隔离墙，无激光孔隔离区域的上端内侧与阴极之间设置槽型玻璃钝化台面；且浓硼扩散区P+的厚度为10-50um。