[实用新型]发光二极管芯片、侧边入光式背光模组与直下式背光模组有效

专利信息
申请号: 200720138604.8 申请日: 2007-08-06
公开(公告)号: CN201112409Y 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 武东星;何忠兴;王耀东;林佳锋;庄赋祥 申请(专利权)人: 中华映管股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;G02F1/13357
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 左一平
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型涉及一种发光二极管芯片,包括一反射层、一第一型半导体层、一主动层、一第二型半导体层、一第一电极层、一第二电极层与一滤光结构。其中,第一型半导体层配置于反射层上,而主动层配置于第一型半导体层与第二型半导体层之间。此外,第一电极层与第一型半导体层电性连接,且第二电极层配置于第二型半导体层上。另外,滤光结构配置于第二电极层上。该滤光结构可将波长为450~525nm的光线反射,而使得发光二极管芯片能提供高纯度的光源。
搜索关键词: 发光二极管 芯片 侧边 入光式 背光 模组 直下式
【主权项】:
1. 一种发光二极管芯片,其特征在于,包括:一反射层;一第一型半导体层,配置于该反射层上;一主动层,配置于该第一型半导体层上;一第二型半导体层,配置于该主动层上;一第一电极层,与该第一型半导体层电性连接;一第二电极层,配置于该第二型半导体层上;以及一滤光结构,配置于该第二电极层上。
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