[实用新型]发光二极管的温度特性测量系统无效
| 申请号： | 200720189804.6 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN201145717Y | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 翁思渊 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/26;G01M11/00;G01M11/02;G05D23/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的温度特性测量系统，用于测量发光二极管的温度特性，其包括环境控制装置、流体介质、温度控制装置及光学测量装置。所述发光二极管设置于环境控制装置的容置空间中，所述流体介质填充于环境控制装置的容置空间中，所述温度控制装置用于控制容置空间内的温度，光学测量装置用于测量发光二极管的光学特性。本实用新型可用以测量环境温度对于发光二极管的光学特性的影响，并可确保在环境温度变化时的测量准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 温度 特性 测量 系统 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于包括：一环境控制装置，其具有一容置空间的，发光二极管设置于该容置空间中；一流体介质，填充于该容置空间中，并包覆住该发光二极管；一温度控制装置，用以控制该容置空间内的温度；以及一光学测量装置，用以测量在该流体介质中的该发光二极管的光学特性。
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