[实用新型]过温保护电路及其防误触发逻辑控制模块有效

专利信息
申请号: 200720312160.5 申请日: 2007-12-26
公开(公告)号: CN201138738Y 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 程坤;张美玲;钱翼飞;李东 申请(专利权)人: BCD半导体制造有限公司
主分类号: H02H5/04 分类号: H02H5/04;H03K19/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陆嘉
地址: 英属开曼*** 国省代码: 开曼群岛;KY
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型揭示了一种过温保护电路的防误触发逻辑控制模块,连接到过温保护电路的输出OTSD’,接收偏置电流Pbias作为输入,该防误触发逻辑控制模块包括:偏置电流监测及延迟电路,包括PMOS管M11、NMOS管M12和电容C0,其中,偏置电流Pbias连接到PMOS管M11的栅极,PMOS管M11还连接到高电平,NMOS管M12和电容C0还接地;第一与非门,接收偏置电流监测及延迟电路的输出和过温保护电路的输出OTSD’作为输入;第二与非门,接收偏置电流监测及延迟电路的输出和第一与非门的输出作为输出,第二与非门的输出作为防误触发逻辑控制模块的输出OTSD。该防误触发逻辑控制模块可以避免过温保护电路在回温点和温度保护点之间的温度范围内可能发生的误操作。
搜索关键词: 保护 电路 及其 触发 逻辑 控制 模块
【主权项】:
1.一种过温保护电路的防误触发逻辑控制模块,其特征在于,该防误触发逻辑控制模块连接到过温保护电路的输出OTSD’,该防误触发逻辑控制模块还接收偏置电流Pbias作为输入,该防误触发逻辑控制模块包括:偏置电流监测及延迟电路,包括PMOS管M11、NMOS管M12和电容C0,其中,偏置电流Pbias连接到PMOS管M11的栅极,PMOS管M11还连接到高电平,NMOS管M12和电容C0还接地;第一与非门,接收所述偏置电流监测及延迟电路的输出和过温保护电路的输出OTSD’作为输入;第二与非门,接收所述偏置电流监测及延迟电路的输出和第一与非门的输出作为输出,第二与非门的输出作为所述防误触发逻辑控制模块的输出OTSD。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于BCD半导体制造有限公司,未经BCD半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200720312160.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top