[发明专利]适合于蚀刻高纵横比结构的真空处理室

摘要

本发明的实施方式提供一种适合用于蚀刻高纵横比结构的诸如处理室的装置。在其他实施方式中，公开了能在高纵横比蚀刻期间获得优良结果的不同的处理室部件。例如，在一个实施方式中，提供处理室包括具有其中设置有喷头组件和衬底支撑组件的室体。喷头组件包括至少两个流体地隔离的充气室，能透射光学计量信号的透光区，以及穿过喷头组件形成的多个气体通路，将充气室流体地耦合至室体的内部容积。在其他实施方式中，提供了有益于等离子体蚀刻高纵横比结构的新型阴极衬垫、上部外衬垫、下部外衬垫、衬底支撑组件、盖组件、喷头组件和石英环的至少其中之一。

主权项

1. 一种处理室，包括：具有内部容积的室主体；喷头组件，其耦接至所述室主体的顶并具有在其中形成的至少两个流体地隔离的充气室，可透射光学计量信号的区域，以及多个穿过该喷头组件形成的气体通道，将充气室流体地耦合至腔室主体的内部容积或空间；以及设置在所述室主体中的衬底支撑组件。