[发明专利]溅射靶及氧化物烧结体的制造方法有效
申请号: | 200780000385.X | 申请日: | 2007-04-02 |
公开(公告)号: | CN101316944A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 高桥诚一郎;宫下德彦 | 申请(专利权)人: | 三井金属矿业株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C04B35/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于使低电阻、透明性优良、非晶态的、用弱酸蚀刻可以比较容易地制作布线图案、而且可以比较容易结晶化的透明导电膜成膜的溅射靶及氧化物烧结体的制造方法。该溅射靶是可以形成非晶态状态的透明导电膜的溅射靶,具备含有氧化铟和根据需要的锡、同时含有钡的氧化物烧结体。 | ||
搜索关键词: | 溅射 氧化物 烧结 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种溅射靶,是形成非晶态状态的透明导电膜的溅射靶,其特征在于,具备含有氧化铟和根据需要的锡、同时含有钡的氧化物烧结体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井金属矿业株式会社,未经三井金属矿业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780000385.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类