[发明专利]氧化铟类透明导电膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200780000386.4 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101317237A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 高桥诚一郎;宫下德彦 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;C04B35/00;C23C14/34;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种低电阻、透明性优良的、非晶态的、利用弱酸蚀刻可容易制作布线图案的，并且可以比较容易结晶化的透明导电膜及其制造方法。该透明导电膜是采用具有含有氧化铟及根据需要含有锡、同时含有钡的氧化物烧结体的溅射靶成膜的透明导电膜，含氧化铟及根据需要含有锡、同时含有钡。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 透明 导电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电膜，其是采用具有氧化物烧结体的贱射靶成膜的透明导电膜，该氧化物烧结体含有氧化铟并根据需要含有锡、同时含有钡，其特征在于，含有氧化铟并根据需要含有锡、同时含有钡。
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